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上海安竹光電科技有限公司
參 考 價 | 面議 |
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所 在 地上海市
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更新時間:2024-03-07 18:48:31瀏覽次數(shù):95次
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數(shù)字DR成像系統(tǒng)
采用數(shù)字DR成像系統(tǒng),X-RAY成像;尺寸可選.2529/3543/4343
描述 | 規(guī)格(GOS) | 規(guī)格(CsI) |
探測器類別 | 非晶硅 | 非晶硅 |
閃爍體 | GOS | CsI |
圖像尺寸 | 250.88×286.72mm | 250.88×286.72 mm |
像素矩陣 | 2048×1792 | 2048×1792 |
像素間距 | 140 um | 140 um |
A/D轉(zhuǎn)換 | 16bit | 16 bit |
最小探測劑量 | 20nGy | 14nGy |
線性劑量(uGy, RQA5) | 150 | 110 |
幀速率(1x1, 140um, 2048×1792) | 14 | 14 |
幀速率(2x2, 280um, 1024x896) | 30 | 30 |
幀速率(4x4, 560um, 512x448, Under Development) | 60 | 60 |
MTF @ 1.0 LP/mm | 0.51/0.56/- | 0.60/0.65/- |
MTF @ 2.0 LP/mm | 0.22/0.24/- | 0.30/0.33/- |
MTF @ 3.0 LP/mm | 0.09/0.11/- | 0.15/0.18/- |
DQE @ 0.0 LP/mm (2.5uGy) | 0.48/0.50/ - | 0.58/0.60/- |
DQE @ 1.0 LP/mm (2.5uGy) | 0.30/0.32/ - | 0.43/0.45/- |
DQE@ 2.0 LP/mm (2.5uGy) | 0.14/0.15/- | 0.30/0.32/- |
DQE @ 3.0 LP/mm (2.5uGy) | 0.04/0.05/- | 0.13/0.15/- |
殘影(%, 300uGy, 60s) | <0.25 | <0.25 |
空間分辨率 | 3.6 LP/mm | 3.6 LP/mm |
X-射線電壓范圍 | 40-150 KV | 40-150 KV |
數(shù)據(jù)接口 | GigE/802.11ac | GigE /802.11ac |
功率 | 20 W | 20 W |
適配器輸入電壓 | AC 100-240V,50-60Hz | AC 100-240V,50-60Hz |
適配器輸出電壓 | DC 24V,60W | DC 24V,60W |
探測器尺寸 | 278.16×315×18.05mm | 278.16×315×18.05mm |
探測器重量 | 4.3 kg | 4.3 kg |
探測器外殼材料 | Carbon, Al Alloy | Carbon, Al Alloy |
防水等級 | IPX3 | IPX3 |
工作環(huán)境 | 5-35oC,10-75% RH | 5-35oC,10-75% RH |
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