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掃描電子顯微鏡

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產(chǎn)品型號GeminiSEM系列

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廠商性質(zhì)其他

所在地深圳市

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更新時間：2023-11-17 14:33:29瀏覽次數(shù)：84次

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深圳市順心科技有限公司

經(jīng)營模式：其他

商鋪產(chǎn)品：140條

所在地區(qū)：廣東深圳市

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產(chǎn)品簡介

GeminiSEM 系列產(chǎn)品具有出色的探測效率，能夠輕松地實(shí)現(xiàn)亞納米級分辨率的成像。更高的表面細(xì)節(jié)信息靈敏度讓您具備更高的樣品靈活性，為您的研究、工業(yè)實(shí)驗(yàn)室、成像平臺或教育機(jī)構(gòu)提供靈活、可靠的場發(fā)射掃描電子顯微鏡技術(shù)與方案。運(yùn)用 GeminiSEM 系列產(chǎn)品可獲取各類樣品在微觀世界中清晰、真實(shí)的圖像。

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品簡介

GeminiSEM 500融合了 Gemini 1電子光學(xué)鏡筒的創(chuàng)新設(shè)計，從而全面提升了成像分辨率，尤其是在低電壓下。

GeminiSEM 450配備 Gemini 2 雙聚光鏡電子光學(xué)鏡筒，靈活且易于使用，在成像與分析方面性能優(yōu)異、穩(wěn)定可靠。

GeminiSEM 300能夠?qū)γ舾斜砻娉上?，具有更高的襯度、出色的分辨率和超大成像視野，即使是初學(xué)者也能很快掌握。

產(chǎn)品優(yōu)勢

更簡單、更智能、更高度集成

低電壓下信號更強(qiáng) ，細(xì)節(jié)更豐富
分析時具有更高的表面靈敏度
更靈活的樣品成像

洞察產(chǎn)品背后的科技

充分發(fā)揮 Gemini 電子光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計的優(yōu)勢
全套探測系統(tǒng) ：根據(jù)出射能量和出射角區(qū)分離開樣品的電子
更豐富的細(xì)節(jié)信息、更具靈活性
更豐富的細(xì)節(jié)信息、更強(qiáng)的信號
充分發(fā)揮 Gemini 2 光學(xué)系統(tǒng)的性能

產(chǎn)品參數(shù)

已選的探測器和附件	探測器和附件的性能優(yōu)勢	GeminiSEM 500	GeminiSEM 450	GeminiSEM 300
Inlens SE 探測器（鏡筒內(nèi)二次電子）	超高分辨率表面信息	?●	?●	?●
Inlens BSE 探測器（鏡筒內(nèi)能量選擇背散射探測器）	成分襯度	?○	?○	?○
樣品室二次電子探測器	表面形貌信息	?●	?●	?●
VPSE 探測器	在可變壓力模式下進(jìn)行高效成像	?●*	?●*	●*
AsB4 探測器（角度選擇背散射）	組份和晶體襯度，三維表面建模	–	?○	?○
aBSD 探測器	多達(dá) 4 通道同時成像的6象限背散射電子探測器，可用于組份和晶體取向分析及三維表面建模	?○	?○	?○
aSTEM 探測器（環(huán)形 STEM）	7象限透射電子探測器，可用于高分辨率透射成像○?	?○	?○	?○
EDS 探測器（能譜儀）	元素分析	?○	?○	?○
EBSD 探測器（背散射電子衍射）	檢測晶體取向	?○	?○	?○
CL 探測器	使用陰極熒光進(jìn)行材料表征	?○	?○	?○
WDS 探測器（波譜儀）	高能量分辨率元素分析	?○	?○	?○
3DSM（三維表面建模）	實(shí)時三維表面建模模塊	?○	?○	?○
80 mm 樣品交換室	在 45 秒內(nèi)完成樣品轉(zhuǎn)移	?○	?○	?○
等離子清洗儀	柔和地去除樣品污染	?○	?○	?○
NanoVP	高達(dá)500Pa的可變壓力真空，用以減少非導(dǎo)電樣品的表面荷電現(xiàn)象	?○	?○	?○
局部電荷中和器	局部氣體注入，用以減少非導(dǎo)電樣品的表面荷電現(xiàn)象	?○	?○	?○
局部電荷中和器與原位氧氣清洗	樣品表面的原位清洗，用以減少非導(dǎo)電樣品的表面荷電現(xiàn)象	?○	?○	?○
樣品臺減速技術(shù)（Tandem decel）	高達(dá)5kV的樣品臺減速偏壓，用以在低著陸能量下提供高分辨率和高襯度	?○	?○	?○
●包含在內(nèi) ?○ 可選配 *包含在 NanoVP 選件中

技術(shù)參數(shù)

基本規(guī)格	蔡司 GeminiSEM 500	蔡司 GeminiSEM 450	蔡司 GeminiSEM 300
分辨率*	0. 4 nm @ 30 kV（ STEM）	0. 6 nm @ 30 kV（ STEM）	0. 6 nm @ 30 kV（STEM）
	0. 5 nm @ 15 kV	0. 7 nm @ 15 kV	0. 7 nm @ 15 kV
	0. 9 nm @ 1 kV	1. 1 nm @ 1 kV / 500 V	1. 2 nm @ 1 kV
	0. 8 nm @ 1 kV TD	1. 0 nm @ 1 kV / 500 V TD	1. 1 nm @ 1kV TD
	1. 0 nm @ 500 V	1. 5 nm @ 200 V	-
分析分辨率	–	2.0nm@15kV，5nA，工作距離8.5mm	-
背散射電子分辨率（ Inlens BSE）	1. 0 nm @ 1 kV	1. 2 nm @ 1 kV	1. 2 nm @ 1 kV
可變壓力模式（30Pa）下的分辨率	1. 4 nm @ 3 kV	1. 4 nm @ 3 kV	1. 4 nm @ 3 kV
可變壓力模式（30Pa）下的分辨率		1. 0 nm @ 15 kV	1. 0 nm @ 15 kV
加速電壓	0. 02– 30 kV	0. 02– 30 kV	0. 02– 30 kV
探針電流	3 pA– 20 nA（100 nA 配置可選）	3 pA– 40 nA（100 nA 或 300 nA 配置可選）	3 pA– 20 nA（100 nA 配置可選）
放大倍率	50– 2, 000, 000	12– 2, 000, 000	12– 2, 000, 000
電子槍	熱場發(fā)射型，穩(wěn)定性優(yōu)于0.2 %/h
基本配置中提供的探測器	Inlens 二次電子探測器
	Everhart Thornley 二次電子探測器
	高效 VPSE 探測器（包含在可變壓力選件中）
選配探測器	–	角度選擇背散射探測器（ AsB4）
選配探測器		環(huán)形 STEM 探測器（ aSTEM4）
存儲分辨率	達(dá) 32k × 24k 像素
樣品臺	5 軸電動優(yōu)中心樣品臺
	X = 130 mm；Y = 130 mm
	Z = 50 mm
	T = – 4o – 70o
	R = 360o（連續(xù)）
	按需還可提供更多的樣品臺選件